modelo

DSE5120

trabajo voltaje

DC8.0V a 35.0V (seguir a)

consumo energía

< 3W (stand modelo: ≤2W)

alternador voltaje :

20V CA - 360 V (ph-N) 3 fase 4wire

20V CA - 360 V (ph-N) 3 fase fase 4wire

30V CA - 620 V (ph-ph) 3 3wire

20V AC - 360 V AC (ph-N)

20V AC - 360 V frecuencia CA de (ph-N)

50/60Hz

velocidad sensor voltaje:

1.0 -70Vpp

sensor de velocidad de frecuencia:

Max 10000 HZ

salida salida de relé:

16Amp

combustible de salida de relé:

16Amp

programable relé de salida 1:

16Amp

programable relé de salida 2:

16Amp

programable relé de salida 3:

16Amp

programable relé de salida 4 :

16Amp

poder de conmutación salida de relé programable 5:

16Amp

red interruptor de salida de relé programable del relé 6 :

tamaño:

240 mm x 172 mm x 57 mm

tapping tamaño:

214 x 160 mm

actual transformador secundario eléctrico

5A

condiciones de trabajo:

temperatura (-25 ~ + 70) Humedad de de ° c (20 ~ 90) %

condición de almacenaje:

temperatura (-40 ~ + 70) ° c

peso :

0.9kg

Material y tecnología

poliester condensador

semiconductores potencia dispositivos

todos los dispositivos de potencia IC importados, modelo de alta corriente con lo Estados Unidos

principal potencia resistencias

ajuste potenciómetro

Estados Unidos BOURNS original

Chip condensadores

Xiamen Farah

cola

PU protección del medio ambiente, al mismo tiempo no cambia las propiedades eléctricas de las características de alta temperatura y alta temperatura

más ventajas

1 después de la la estricta totalmente funcional y pruebas de rendimiento y envejecimiento de alta temperatura , cada lote de prueba de relación de confiabilidad del 3%. Los parámetros de cada tabla son rigurosamente probados y ajustado, totalmente compatible con productos originales

2 alta estabilidad de los componentes clave del producto, utilizamos un componentes de coeficiente de temperatura bajo para asegurar productos

3 Original dos transistores y 2 onzas de circuitos de corriente grande (la mayoría de los circuitos convencionales es 1 onza) para garantizar alta confiabilidad en un de elemento semiconductor de alta potencia